Andy的博客

电子工程专辑》从2002年起已经连续三年举办“中国电子工程师薪酬调查”活动，今年总数2287电子工程师和技术管理人员提交了调查问卷，其中16%来自上海市，来自深圳和北京的电子工程师分别占15%，接下来依此是江苏省(12%)、广东(8%)、山东(4%)、四川(4%)、湖北(3%)、福建(2%)、陕西(2%)，参加人数为1%的省份有河北和辽宁，其它省份的电子工程师大约占7%，覆盖了除台湾省、新疆和西藏之外的中国所有省份。从企业规模来看，45%的工程师来自规模为8千万以下的企业，33%的工程师来自规模为8千万到10亿的企业，另外22%的工程师来自年销售额10亿以上的企业。

在参与调查的工程师中，73%是设计和开发工程师，13%是工程管理人员，8%是维护和技术支持管理工程师，6%是生产和测试工程师。他们当中42%是普通工程师，17%是高级工程师，17%是项目经理/小组负责人，10%是研发部门经理，6%是首席技术官/总工程师，2%是总监/高级技术管理人员。因此，调查具备广泛的电子设计和技术管理背景以及地域代表性，图1所示为高级技术管理人员、项目经理、研发经理、总工、高工、工程师和生产经理的年薪分布状况。

电子工程师社群平均年薪6万

回答调查问卷者当中，从事通信系统与设备以及消费类电子和电器的设计和开发的工程师都超过了30%，18%%的工程师从事计算机系统和软件以及工业控制、安全设备和系统的设计和开发工作，11%的工程师从事集成电路设计和制造，如图2所示。

IC设计、制造和封装行业以平均年薪8.14万人民币(不含奖金、兼职和福利)高居电子行业年薪榜首，领先通信系统和设备行业近1万人民币，比航空、航海和军工电子行业高将近一倍，如图3所示，10个行业平均年薪超过6万人民币(不包括奖金和其它收入)。

高级技术管理和工程人员是高薪主体

如图4所示，在参与调查的首席技术官/总工程师、总监/高级管理人员和研发部门经理三类职务中，接近15%的人能够拿到12-16万的年薪；工程师和高级工程师能够拿到这个数的分别不超过2%和7%。在16-20万年薪层次，首席技术官/总工程师、总监/高级技术管理人员和研发部门经理三类职务占有的比例都是5%左右，制造和生产经理、项目经理和高级工程师中不到2%的人能够拿到该待遇。数据显示高薪向高级技术人员和管理层倾斜。

在20-25万年薪层次，总监/高级技术管理人员、研发部门经理、制造和生产经理、项目经理/小组负责人这四类职务中，不超过2%的人享受该报酬。在担任总监/高级技术管理人员的人当中，有大约1%的人能够拿到30-35万和60万以上年薪。

担任技术管理职务的工程师，平均超过20%的人年薪在8-12万，工程师能够拿到年薪8-12万的比例不到10%，制造和生产经理的主流年薪是4-8万，持有1.6万以下年薪的主要是工程师。

我们按照董事/高级技术管理人员、首席技术官/总工程师、制造和生产经理、采购经理、项目经理/小组负责人、研发部门经理、高级工程师、工程师和其他人员共9个层次进行了统计，包括奖金、工资和兼职收入在内的总收入的平均水平如图5所示。其中，董事/高级技术管理人员的平均收入是工程师的2.3倍，是项目经理/小组负责人和高级工程师平均收入的1.5倍。

研发部门经理、首席技术官/总工程师、制造和生产经理、项目经理/小组负责人四类管理人员的收入依此相差大约10%。高级工程师比普通工程师的收入要多56%。

参与调查者当中64%的人获得了奖金收入，获得奖金的人当中69%的人年奖金额小于8000元人民币，20%的人奖金额在8000元到2.5万之间，7%的人奖金每年拿到2.5-4.5万，年奖金超过4.5万的人不超过3%。

此外，从图6可见，在设计/开发、生产、测试和工程管理四类工程师比较当中，6成以上年薪在4-8万和1.6-4万。设计/开发工程师中大约6%拿到12-16万年薪、超过16%年薪为8-12万，还有6%左右年薪在1.6万以下，年薪16万以上的大约3%。在技术管理人员当中，大约10%年薪在12-16万，19%年薪在8-12万，3%左右年薪在16万-25万之间。生产工程师的待遇低于测试工程师。平均来看，设计/开发、生产和测试、工程管理的年薪分别是：6.38万、5.25万和7.5万。

企业规模和类型决定主流薪资水平

对调查数据的分析显示：企业销售额小于8百万，年薪小于1.6万的电子工程师超过15%，相比之下，在年销售额超过80亿的企业，年薪少于1.6万的电子工程师不到3%。在年销售额小于80亿的企业中，有平均约30%的工程师年薪1.6-4万，超过35%的工程师年薪4-8万。在年销售额超过80亿的企业，只有15%左右和30%左右工程师年薪分别为1.6-4万和4-8万。

年销售额小于2.5亿的企业，不到15%的电子工程师能够拿到8-12万的年薪；年销售额大于2.5亿的企业，平均超过20%的电子工程师拿到相同的年薪，其中在年销售额超过80亿的企业，超过30%的工程师享受8-12万的年薪。

在年销售额小于80亿的企业，持有年薪为12-16万的工程师平均不超过5%，相比之下，年销售额超过80亿的企业拿相同年薪的工程师要多10%。年薪16万以上的工程师主要集中在销售额为40亿以上的大型企业。在年销售额超过80亿的企业年薪为16-20万的工程师接近5%。

按照销售额从低到高排列，平均年薪依次为：5.16万(销售额低于800万)、5.9万(800万到8千万)、5.46万(8千万到1.5亿)、6.42万(1.5亿到2.5亿)、5.58万(2.5亿到3.5亿)、6.2万(3.5亿到5亿)、5.98万(5亿到8亿)、7.17万(8亿到40亿)、8.4万(40亿到80亿)和9.54万(80亿以上)。随着企业销售规模的扩大，平均年薪基本呈现上升的趋势。

参加本次调查的工程师，30%来自国有企业，28%来自私人企业，25%来自外企，13%来自合资企业。在主流年薪上，国有企业持有1.6-4万年薪的工程师比持有4-8万年薪的工程师要多2%，在私人、外企和合资企业，持有4-8万年薪的工程师比持有1.6-4万年薪的工程师要多10%以上。在私人、国企和合资企业，不到15%的人拿到8-12万的年薪，而在外企持有该级别年薪的工程师超过20%。在12-16万这个年薪层次，外企与合资企业占据明显优势，国有企业明显处于劣势。在16-20万档次，国有企业为空白，外企中不到3%的工程师能够拿到这个级别的工资。如图8所示。

具有外资背景的企业，持6万以下年薪的工程师不到4%，而在私人企业和国有企业，则分别占8%和15%。统计表明，国企、私企、合资企业和外企的工程师和技术管理人员的平均年薪依次为4.86万、6.37万、6.94万和7.83万。

30岁之前，1.6-8万是主流年薪

调查数据统计显示： 在30-45年龄段，得到8-12万和12-16万年薪的工程师大约分别是20%和10%。在35-40年龄段，大致有5%的工程师能够拿到16-20万的年薪，享受20-25万高薪的工程师大约有2%。1%的工程师年薪超过60万，如图9所示。

30岁之前，年薪1.6-8万是主流薪资。到25-29年龄段，持有4-8万年薪的工程师已经比拿1.6-4万年薪的工程师多大约12.5%，拿8-12万年薪的工程师接近15%，不到4%的工程师开始迈进到12-16万的高薪阶层，即将“三十而立”之年，只有不到7%的工程师获得1.6万以下年薪。

如图9所示可见，35-39岁是高薪人群最多的年龄段，而到了45-59年龄段，持有8万以上年薪的工程师明显减少，但是，大约还有10%的工程师能够享受这样的待遇。60岁以后基本上没有人拿到8万以上年薪。

从工龄方面看，在工龄6-20年的四个年龄段，持有8-12万年薪和12-16万年薪的比例分别超过15%和6%，持有16-20万年薪的工程师的比例不到5%，其中,工作15-20年的工程师持有12-16万年薪的比例超过12%。工龄为12-15年的工程师中，有5%左右能够拿到20万以上年薪，这个比例随着工龄的增长而减少。无论工龄长短，年薪4-8万和1.6-4万是主流薪资。图10为工龄与相应工龄段的平均年薪水平。

统计还发现，参与调查者平均有8年的工作经验，平均有两次跳槽的经历。其中，至少跳槽一次的工程师占30%，不到10%的工程师跳槽达4次，还有大约5%的人跳槽5次以上。在跳槽1-4次的工程师当中，主流年薪存在由1.6-4万向4-8万和8-12万升级的趋势，如图11所示。

此外，调查还显示出高学位与高薪成正比的状态。持有12-25万年薪的工程师当中，博士占45%，比硕士多15%，本科则不到1%。大约28%的硕士拿到8-12万的年薪，比博士大约多10%，本科大约多15%。本科学历工程师当中，有5%能够拿到12-16万的年薪。本科以下学历的工程师，大约45%的人只有1.6-4万的年薪，25%的人只有4-8万的年薪。需要注意的是：参与本次调查的工程师中，仅有3%持有博士学位，24%持有硕士学位，60%是本科学历。博士的平均底薪是8.87万元，硕士的平均底薪是8.18万元,学士的平均底薪是5.9万元。

地区差异很大，京沪深是高薪的集中地

本次调查显示，京沪深依然是高薪集中的地区，三个城市年薪4-8万的电子工程师比例基本一致，都是45%左右，是三地主流薪资之一。深圳年薪8-12万的工程师比上海多大约3%，比北京大约多7%。深圳有12.5%的工程师年薪12-16万，比上海多约3%，比北京大约多7.5%。年薪16-20万档次，深沪京大约都是2.5%。而年薪20万-25万的电子工程师主要在上海和北京，都不超过2%。京沪深三地的工程师年薪小于1.6万的不到5%。北京还有约23%的工程师年薪只有1.6-4万，远远高于深圳的11%和上海的17%。

西安和成都是中国西部两大电子产业基地，本次调查显示成都拥有12万以上年薪的工程师不到3%，而西安为零；西安持有1.6-4万年薪的工程师比成都多大约10%；成都持有4-8万年薪的工程师比西安大约多10%；在1.6万以下年薪段，两城市相差不到5%。

浙江省年薪12-16万的工程师比例仅次于深圳，年薪8-12万的工程师的比例与广东(不含深圳)、福建省相近，与北京相差不大。在浙江和福建，年薪4-8万的工程师的比例大约都是35%，比广东省和湖北省的比例低15%左右；年薪1.6万以下的工程师的比例大约都是7%，比广东省的比例高5%左右。浙江省工程师年薪12-16万的比例在三省中最多，大约为11%。图12为中国电子产业集中的省市的平均年薪的比较。

作者：周智勇

2004年年末的上海，正在展现出一座芯城的雏形。

　　继中芯国际立足上海之后，英特尔、台积电等知名芯片厂商在这一年也纷至沓来，在巨人的身影之后，是迅速生长和聚集起来的一群芯片业厂商。随着大量芯片厂和IC设计企业的入驻，在以张江科技园区为核心的浦东地区，正在形成包括研发设计、制造、光掩膜、封装、测试、设备、材料、气体、模具、引线框架、专业人才培训、技术服务等环节在内的近乎完整的产业链，并已经开始产生集群效应，同时，上海的芯片业也已经开始了由低端向高端的迁移和进化。人才、资金、技术，从世界各地向上海汇聚而来，让这座城市的芯片产业一时间蔚成气势。

　　2000年时张汝京的那个大胆的预测——芯片制造业的下一个中心将在上海——看上去正在一点点地变成现实。

　　上海已经是国内芯片制造业的第一城市。但在一片迅速成长的嘈杂声中，细心的观察者不难发现，上海芯片业的发展形态并没有最终定型，产业的“身形”也略显单薄，同时，政策指向的游移不定、封装测试等配套产业的远不完善、各类人才的暂时流失，也使得上海芯片工业于迅速发展中屡处险境。

　　不过，看上去好消息要远多于坏消息：生产最关键、最昂贵的光刻机部件的某制造商有望整体迁移至上海；芯片制造工艺已经开始了向高端的实质性迁移；众多IC设计公司在度过前两年艰难的研发期后也将陆续进入收获阶段。

　　2004年的上海，有着与二十年前的中国台湾一样的优势：大量的海归人才和海外资本纷纷归来并创建起自己的代工业和设计业，并很快就以成本和配套优势开始抢占市场。所不同的是，中国大陆的市场潜力更大，未来的人才也会更多。它有理由期待一个更远大的未来。上海最近一段时间以来可谓“芯”事不断：9月28日，台积电宣布在上海松江的8英寸厂正式批量生产。10月11日，中芯国际发布公告声称与德州仪器就90纳米处理技术签署制造服务合约，引得市场一片哗然。而最新爆出的一则猛料是，李嘉诚以和黄与长实的名义投资上海宏力9000万美元。素以投资超人著称的李嘉诚先前从未投资过芯片业，而此次何以看上上海的芯片业？上海的芯片竟有如此魅力，引得各路豪杰纷纷折腰？

　　代工崛起激发群聚效应

　　2000年当张汝京初到上海时很希望能证实他的一个想法，他认为芯片制造业的下一个中心将在上海，但他没料到的是，这个想法居然改变了一个城市的产业。虽然上海此前已经有华虹NEC和上海先进等芯片厂，但这不足以让上海的芯片业呈现繁荣，直到中芯国际的入驻使这一切发生了质变。张汝京来到浦东后以旋风般的速度建起了三个8英寸厂，将中国内地原来的0.25微米工艺迅速提升至0.13微米。使浦东芯片制造业的面貌焕然一新，也因此确立了上海国内芯片制造老大的地位。

　　业内人士分析，中芯国际的入驻最大的作用不在于自身，而是促动了整个浦东芯片业产业链条的发展。为服务中芯国际等厂商，众多芯片制造服务公司相继入驻张江科技园区，为整个制造业带来了相当大的便利。芯片设计公司也为降低成本选择进入张江等高科技园区，各方面的合力使得张江科技园区的芯片人才和信息得以汇集。

　　另一方面中芯国际的快速发展使得更多的芯片代工厂商感到紧张，加快了进入浦东的脚步。由于中国内地的芯片生产成本更低，如果不将芯片生产厂搬到中国内地，长远来看成本上将无法和中国内地的芯片代工厂相匹敌。市场也是他们考虑的一个重要因素，信息产业部集成电路处徐小田处长表示，“中芯国际的成长是与国内市场的蓬勃成长同步的。”中芯国际的订单虽然大多来自海外，但其中许多属于国内电子企业交给海外设计公司之后又转给中芯国际生产。中国正在成为消费电子产品全球最大的制造基地，芯片企业距离生产基地越近，周转时间就越短、物流便捷、沟通方便。正是这些原因，促使海外的芯片制造企业纷纷进驻上海。

　　据上海市信息委资深专家林晶介绍，目前，我国已投产的8英寸集成电路生产线共有8条，其中6条在上海。上海8英寸晶圆片月投片16万片左右，产能占到全国的四分之三。随着大量芯片厂的入驻，在以张江科技园区为核心的浦东地区，已经形成了包括研发设计、制造、光掩膜、封装、测试、设备、材料、气体、模具、引线框架、专业人才培训、技术服务等环节在内的完整产业链。

　　群聚对于芯片业的重要性不容置疑。友达光电(苏州)有限公司总经理彭双浪说：“半导体的设备贵。一台机器上亿元，如果机器停下来，成本是按分秒算的。这就要求配套的企业或者合作伙伴几分钟内能赶到。一定要有群聚的支持、很强的配套，机器一停，严格意义上说，从苏州到上海的距离都远了。”正是因为有了群聚效应，各厂家纷纷宣布将在上海扩产或新增生产线。中芯在上海已有扩建的计划，宏力半导体将在目前8英寸厂的基础上继续上马12英寸晶圆生产线。中国台湾另一巨头联电在苏州的8英寸厂已经开始投产，而且预计10年内将盖六座厂房，以防堵中芯追上，中国台湾产业界人士戏称为“万舰齐发”，而台积电继在上海松江建成8英寸厂之后，豪言其未来10年将在中国投资100亿美元，其中大部分都将选择在上海。除了中国台湾企业，国外企业也开始按捺不住，IBM、NEC、东芝、日立等芯片厂的投资计划都在筹划之中。在IC设计方面，大量的风险资本进入浦东地区，仅浦东地区的设计公司就已经达到100家左右规模，其中不乏像威盛、复旦微、芯华、展讯这样的好手，也涌现了一批优秀的设计服务公司如芯原、华杰、智芯等，在测试环节像Intel、日月光、阿法泰克等著名厂家也大量进驻浦东。

　　上海芯片产业的良性互动也带动了资金的涌入和技术的提升，如今上海的芯片设计技术从以往的0.25微米提升到0.18微米甚至0.13微米，制造工艺也已经提升到0.13微米的水平。“群聚效应已很明显。”北大微电子研究所专家孙卫认为。

　　芯片设计的生存空间

　　上海IC设计的成长速度并不亚于其制造业，统计显示，2003年上海IC业实现销售8.6亿元，同比增长近54%，占到全国的17%和全球的2.63%。但规模偏小和不具备核心技术是上海乃至全国的芯片设计公司的通病。IDC在一份报告中对中国IC设计公司作出了悲观的预测：未来5年，中国大陆460多家IC设计公司只有5%可以生存下来。当然，这其中也包含上海的芯片设计公司。

　　但从记者采访的几家公司来看，他们的进展速度非常快，其中芯华和展讯的设计工艺都可以达到0.18微米，并且已经分别设计出了2.5G和3G手机核心多媒体处理芯片和TD-SCDMA基带芯片，可以说已经代表了国产芯片的最高水平。这种水平即使在国际上也是一种不错的成就。“基芯片即使在日本也未能开发成功”，展信通信公司总裁特别助理赵劲松骄傲地说。

　　上海芯片设计业进展的动力首先来自于大量的海外风险投资进入这个行业，如芯华、展讯、鼎新、芯原等公司前期都获得了风险投资青睐，其中展讯更是获得了著名的Intel基金和3I公司的首期投资。那么他们又为何看好中国大陆的芯片设计公司呢？

　　在赵劲松的眼中，这一切都很正常。“在硅谷的IC设计公司里，最多的便是华人和印度人，华人在计算方面的天赋无可比拟，我做过统计，哪个项目使用华人的比例高，芯片的质量便要高，而且成本低，能按期完成，聪明的老板尤其是犹太人一般比较喜欢招华人”，赵劲松笑道。“而且华人在美国社会已经形成了不小的圈子，平时交流较多，大家最感兴趣的便是回国创业，都觉得国内的机会要比美国多。”据了解，回沪创业的设计公司带头人几乎都有海外背景，在集成电路行业，经验的积累十分重要，这些人一般都是海外某重要项目的带头人，均有长达10年至15年的行业背景，也正是因为他们的资历才能吸引到风险投资。

　　但这些企业目前阶段大都处于研发或者即将投产阶段，记者在采访中发现，一些小的芯片设计公司市场部的座位基本上是虚位以待，已经达到400～500人规模的展讯属于这些公司中的较大者，展讯的一些芯片已经进入市场。赵劲松承认，研发和市场开拓是两码事。对这些从事尖端芯片研究的公司来说，一旦产品面市，他们将要面对的企业一开始就是国际化的大公司，如何与国际巨头竞争是他们首要考虑的事情。

　　芯片和一般的商品不同，在面市之前一般要经过大量复杂的测试以证明其可靠性，但即使如此，在没有得到市场检验之前，很难证明其没有设计缺陷。前些日子HP笔记本内存召回的案例说明，即使是国际顶尖设计公司的产品，也不是丝毫没有风险。而因为芯片设计缺陷造成的系统设备风险，是目前任何一家系统公司都不得不考虑的问题。国内企业在采购芯片时的心态，多少都存在对国内IC设计公司能力一定程度的质疑。所以，对于新成立的IC设计公司来说，如何迈出第一步至关重要。

　　对于第一步，芯华和展讯的做法也许值得借鉴，它们同时选择了较为简易的芯片作为突破口，芯华开发出神芯二号数模转换芯片主要用于DVD影碟机，展讯开发出无线固话芯片以开拓市场。由于国内3G市场尚未启动，开发其他较低档的芯片可以为公司获得一定的现金流，而且对其未来开拓市场带来便利，赵劲松表示，“由于许多手机厂商也同时生产无线固话终端，这有利于我们的品牌知名度。”据悉，展讯为了让客户对其芯片增强信心，特意设计了一个手机平台测试系统，以对客户需要的参数进行测试，免去用户测试方面的麻烦。

　　相比国外大公司，国内企业也并非只有劣势，服务的便利也许是国内IC公司最大的优势所在，集成电路的复杂性对于消费企业来说太难以控制，所以售前和售后服务就显得尤为重要。麦肯锡的调查显示，除电信设备供应等少数行业，中国芯片消费企业需要芯片设计公司提供更多的支持，从完整的产品规格制定到帮助选择电路板芯片，本地的芯片设计企业在这个环节上具备一定的优势，但也从一个侧面反映芯片设计公司贴近市场的好处。这也是为何近年国外大的芯片设计公司纷纷在国内开设研发中心的重要原因。

　　对于国内的IC公司，消费电子的崛起也许是给他们的最好机遇，英特尔CEO贝瑞特指出，现在全球半导体业正处于“数字化的变革时代”，消费电子产品数字化、娱乐智能化和多样化将带来众多新兴的市场，而这一变革的时代将会使有创意的公司脱颖而出。例如3G手机对于芯片的需求量无疑十分巨大，而这一块市场处于启动初期，国内IC厂商将存在巨大的机会，手机的更新换代速度快，手机型号多样化和功能的多样化决定了没有一家公司可以垄断市场，如果国内IC设计公司能快速跟上将是个好机会。

　　设计作为芯片领域的核心产业，为了加快其发展，上海出台了一系列扶持政策。譬如，设立芯片设计和整机联动专项资金，每年投入3000万元支持8～10个项目。争取银行2亿元的授信额度，帮助设计企业解决融资问题。成立全国首家硅知识产权交易中心，并使国家将集成电路专利数据库设在该中心，该中心迄今已汇集了95%左右的中外集成电路专利方面的数据资料，以保护知识产权、加快芯片研发效率。

　　人才，活跃在上海

　　与全球之间芯片业的发展最关键的是什么？无疑是人，由于近年上海芯片业的快速发展，对于人才的需求量节节上升。据上海市发改委预测，2005年上海市需要至少1万名集成电路设计人才和1.5万名制造(含测试封装)高级人才。但就在此关键时刻，一则关于人才外流的消息在业界引起不小的震动。

　　国内某媒体报道了一位制造业工程师跳槽的消息，一名叫胡鹏(化名)的晶片工程师，在上海某芯片厂工作刚满两年，可就在今年的8月，被联电新加坡公司挖走了。胡鹏在受访时坦言，他离开的原因主要是薪资问题，因为同样的职位，在新加坡收入是上海的5倍。

　　胡鹏说，他在上海的月薪3000多元人民币，“加上加班费，每月最多也只是4000元左右”。但在新加坡，他每个月的收入不低于3000新元，按照目前的外汇比率，约是1.5万元人民币。另外公司还提供住宿、机票等福利。

　　一边是对人才的渴求，然而另一面，给员工的待遇并不高，这不得不让人感到困惑。不过芯华微电子公司总经理林涛认为，这种现象主要发生在代工领域，目前在设计界尚不存在这种大规模的人才外流现象。赵劲松也认为，目前设计业人才的流动主要是在国内，自己公司除了30来位海归人士以外，大多都是从国内外资设计公司挖过来的人，展讯的工资水平和外资公司差不多。

　　然而，在芯片设计领域，跳槽同样是家常便饭。在合资IC公司任职的杨新(化名)说，4年里，他身边的朋友都在跳，从国企跳到外企，再从外企跳回到国企，甚至直接跳出国，在跳来跳去中，实现自己的价值与技能的增值，“机会和未来的上升空间，以及能否学到新技能，对跳槽起着决定性作用。在职业转换中，可以持续参加培训，提高自己的思维能力和专业技能，拓宽职业发展的空间。说实话，在芯片设计公司最重要的是经验的积累，短时期的薪水并不重要，进入这个行业的初期拿不了多少钱，但干了多年后出了成果拿到几十万元的年薪并不是稀罕事。”业内人士表示，制造业工作人员之所以工资不高主要是因为其一线工人更多是从事体力劳动，技术含量不高，不如智力密集型的设计业。生产线上的员工在国内制造企业中一般都是由刚毕业的本科生来担任，为了节省成本，国内的芯片制造公司开出的薪水不高，为了留住人才更多的是依靠股票期权等软因素。另外，像中芯国际为员工建了宿舍，建了内部学校，学校一律聘请外教，这对于那些已经成家的员工来说非常有吸引力，这些学校还可以以优惠措施接纳IC设计公司员工子女就学，以保持相互之间的良好关系。目前部分人才外流主要和国际上大规模建厂有关，但海外产能不太可能长期扩张，预期这种外流不会长久。

　　一位华为的工程师曾在新加坡特许半导体工作过两年，他对记者说：“虽然那边待遇不错，但那里绝对不是一个生活的好地方，那地方太小，走不了几步就到海边了，感觉很闷，而且难得有几个朋友，我在那里过的简直是噩梦般的生活，这些人在那里肯定待不长的，估计他们不久还会回来的”。

　　明日上海芯

　　今日的上海芯片业产业链条虽然已经渐趋完整，但绝非完美，和硅谷与中国台湾新竹等地的成熟的芯片基地相比，上海的芯片业只能算是未长成人的孩子。他既得面对来自芯片产能过剩的严峻现实，也得面对自身成长的烦恼。

　　在芯片制造业上，扩大产能的并非只有上海一地，2004年全球有17个新建或改建厂，其中大部分是更为先进的12英寸线。如果这些生产线都能开动起来，产能将达到月产70万片(12英寸计)，相当于全球芯片产能的20%左右。正是因为巨大的产能即将释放，分析师们对芯片的价格是否还能维持在高位表示怀疑。这对于许多新进入的芯片厂商来说当然不是个好消息。有人戏言，所谓半导体，就是做到一半就会“倒”的行业。主要原因在于，这是一个“资本密集”的行业，大量投资之后，又很容易生产过剩。

　　台积电总裁张仲谋对芯片代工未来的前景表示了担忧：“未来出现泡沫的地方很可能在中国大陆”。张汝京则认为：“芯片价格估计会有所下滑，但波动将趋于平缓，因为虽然有大量新的产能出现，不过这两年退出的产能也不少，应该不会再有像2001年那样的大幅行业低迷出现了。”但如果芯片价格真的大幅下跌，国内芯片厂将不得不在价格上和台积电等厂商比拼，这是国内厂商最不愿意看到的结果，因为在代工领域，台积电的优势难以比拟，即使是在最不景气的2003年第一季度，台积电产能利用率仅50%，却还可以做到不亏钱。而大陆厂商则不得不面对巨额的折旧。这对于那些即将上马生产线但又缺乏海外背景的国产厂商来说，将是一个严峻的挑战。

　　另外，虽然上海、江苏等地封测厂商较多，但封测环节依然为制造厂所诟病，大多数的厂家都只能做中低端的封测。张汝京就有过这方面的体会：“有时客户要货比较急，我们得四处找人测试，中国台湾厂家在封测这一块做得很好，但由于中国台湾当局的限制，他们高水平的工艺无法进入中国内地，我们很着急。”后来，中芯国际只好在成都自建一个测试厂。

　　专业从事测试的上海华岭集成电路公司总经理张志勇表示：“虽然中国内地已经有几十家封测厂，但他们收入来源的90%是封装而不是测试，而且即使是封装，也大都集中在0.25微米以上工艺的封装层面，尤其是测试这一块由于对技术和算法的要求比较高，能做到的封测厂并不多，由于中芯国际的工艺已经上升到0.11微米的水平，所以现在封测环节对他们来说是个瓶颈”。

　　如果封测这一块不过关，无论对于制造还是设计公司来说都将造成很大的影响，张志勇表示：“制板和投片的成本还可以控制，但测试的成本往往是未知的，如果难度过大往往会造成分析费呈几何级数的翻番，而且还可能拖延时间。由于测试之后将直接出产品，如果测试不过关，将影响到产品的质量，前些日子国产手机之所以返修率高在一定程度上就是因为仓促进入市场，在测试上没有严格要求的缘故”。

　其次在税收方面，2000年颁布的国务院18号文件中的优惠政策将在明年4月取消，这将对上海的芯片业造成很大的影响。18号文件中第41条规定，给予设厂在国内的半导体厂商实行增值税优惠待遇，在2010年以前，对“实际税赋”超过6%的部分“即征即退”，由企业用于研究开发新的集成电路和扩大再生产。2001年9月29日，国务院再发文件，将即征即退标准由6%进一步下调至3%。但到明年4月，这一税率将再次恢复到17%。

　　众多的风险投资进入国内其中一个重要原因正是看中18号文件的精神。但实际上，上海的芯片业并未受到18号文件多大的好处，由于众多的芯片制造厂和设计公司的主要产品都是销往国内，因而受到的影响将较大，甚至新近成立的从事高端的芯片设计的公司大多处于研发状态，基本没什么销售，大都处于亏损，基本上没享受到税收的优惠，如今即将投入市场，但增值税又要恢复了，这让他们大感失望。赵劲松苦涩地笑道：“早知如此，我们就以软件公司的名义注册了。”这种政策的变动或许会影响风险投资进入上海的脚步。但据记者了解，虽然中国在增值税的优惠上做了一定程度的退步，但高层和上海当局正在考虑通过其它措施对集成电路产业进行扶植。

　　不过，对于上海的芯片业来说，利空的因素总体来说只是局部，而且正在解决和消化之中。当记者在上海采访的时候，听到一个重大的消息，某著名的设备制造商已经进入上海，将生产集成电路制造设备环节最关键也是最昂贵的一个部件：光刻机。这无疑是一个重大的突破，如果设备制造商也整体迁移至上海，将使上海的整体配套能力更加完善，在成本上也会更具优势。随着国际厂商进入上海的速度加快，制造工艺正在向高端迁移，众多IC设计公司在度过前两年艰难的研发期后也将陆续进入收获阶段。此时的上海有着二十年前的中国台湾一样的优势：大量的海归和海外资本进入并创建自己的代工和设计业，以成本和配套优势抢占市场，所不同的是中国大陆的市场潜力更大，未来的人才也会更多。也许不久之后，一个真正的“硅谷”将在上海成型。(互联网周刊 陈钢)

我是做安全的，我想没有楼主所说的那么恐怖，且部分物质没有在用。
在半导体厂设备单位一般包括Diff、Thin-film、CMP、Etch、Photo，各单位的主要性质介绍如下：
（一）Diff 扩散设备单位（包括Kaijo、TEL、DNS、Applied 等）
主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、废气，Clean机台则使用强酸碱化学品、而有废酸液的生成。
（二）Thin-film 薄膜设备单位（包括Applied、Novellus 等）
主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、高频、废气。
（三）CMP 研磨设备单位（包括Applied、EBARA等）
主要用到强碱slurry 化学液、water、而有废碱液的生成。
（四）Etch 蚀刻设备单位（包括Lam、TEL、Applied、Kaijo、Mattson、Axcelis 机台）
蚀刻机台的制程主要用到有毒特殊气体(Cl2,HBr,氟化物等)、无毒的气体(N2,Ar….)、water(冷却循环水,去离子水….)、高电压、高频、高电流在真空中反应，且在生产过程会有废气、辐射、废水的生成物。
（五）Photo 黄光设备单位（包括Nikon stepper\Scanner、TEL track及其它相关量
测或检视机台）
主要用到紫外线光源HMDS、thinner、光阻等有机溶剂，且有高电流、高电压、紫外线的应用，生产过程会有废气、废液的生成。
综合一般无尘室内常见的工业安全伤害，可分为化学性、物理性的伤害，而伤害也分布身体的各部位。以下就将各单位较易发生及机台维修的安全事项说明如下：
(一)Diff 扩散设备单位
1、Furnace tools and CVD tools
（1）机械方面：robot 的夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄、plasma 辐射伤害、gate
door 的夹伤，高温烫伤。
（2）电力方面：高压电流接触。
（3）维修方面：身体的撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 的割伤。
（4）保养方面：高温炉管的烫伤、parts 的割伤、化学溶剂吸入性及喷溅的伤害。
2、Wet bench 安全注意事项
（1）机械方面：robot 的夹伤、撞伤、挫伤。
（2）化学药剂方面：强酸／强碱的灼烫伤、化学品的接触、吸入性伤害。
（3）电力方面：漏电接触。
（4）维修方面：撞伤、wafer 割伤、强酸／强碱的接触。
3、AMHS系统
（1）机械方面：夹伤、撞伤、挫伤。
（2）维修方面：高架作业的安全。
(二)Thin-film 薄膜设备单位
（1）机械方面：避免撞伤、高温烫伤、robot 夹伤、slit valve 夹伤、肌肉拉伤。
（2）电力方面：避免高压电流接触身体。
（3）维修保养方面：高温烫伤、粉尘吸入、重物压伤、强酸／强碱的灼伤、身体的擦伤、撞伤、夹伤、挫伤、parts 割伤、powder 避免吸入体内。
（4）化学溶剂方面：强酸／强碱的接触和吸入。
（5）特殊气体方面：防止毒气外泄的吸入。
(三)CMP 研磨设备单位
（1）机械方面：motor gear 转动时夹伤、gate door 夹伤。
（2）电力方面：高压电流接触。
（3）维修方面：
a. Mirra Mesa Cross 转动时须先确定无人。
b. robot 移动时，须把door 关起来，避免撞人员。
c. Wafer 破片的割伤。
（4）保养方面：换Pad 时须使用适当工具，避免拔Pad 时工具撞到脸部。
（5）化学药剂方面：
a. 维修或保养chamber 时要先flush，并带口罩及防酸手套，防止HF 腐蚀。
b.处理W slurry 时，须带手套。
(四)Etch 干蚀刻设备单位
（1）机械方面：机械手臂的夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄吸入性的伤害、plasma辐射污染伤害、gate door 的夹伤，高温烫伤。
（2）电力方面：高电压、高电流的电击伤害。
（3）维修方面：身体的撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 的割伤。
（4）保养方面：parts 的割伤、化学溶剂吸入性的伤害。
(五)Photo 黄光设备单位
（1）机械方面：robot、mail arm的撞伤，Kr/Ne/F2、化学品外泄，高温烫伤。
（2）电力方面：高压电流电击。
（3）维修方面：身体的撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、lamp、wafer 的割伤、高速旋转物飞出、液体溅出。
（4）保养方面：紫外线、laser 曝露、有机溶剂吸入、皮肤接触。

CVD用的硅烷是俗称的氮硅烷最高浓度20%,当浓度小于5%时一般在排放是仍会发生轻微爆燃,实验数据为1%.反应生成物主要是二氧化硅及含氢化合物.硅烷一般禁止与其他气体混合.其本身不会严重致害.
大家应该对氟有一定的了解,其化学键一般很稳定.如果是盐类气体--重金属氟化物则因金属的特性及环境会发生反应,一般无虑.但其他类不可在有水或含水环境中,会产生氟化氢.氟化氢一般是以气态存在的但易溶于生成氢氟酸有强烈腐蚀性.因此氟化氢微量吸入会刺激黏膜,少量吸入会发生严重灼伤.不过一般的盐类肯定无妨,大家还记得有含氟牙膏吧?
四氟化碳就是氟里昂,一般做冷媒或溶剂气对大气环境有害,至于别的什么----?
但半导体制造中下类气体有严重致害可能:
磷烷
金属有机化合物

（ETCH）里面六氟化硫，四氟化碳都属低毒，其中六氟化硫基本无毒。ETCH里比较厉害的毒气是氯气BCL3。
可以渗透皮肤，腐蚀骨髓，的是HF，不过可以用六氟灵及时处理，并不会有什么后遗症，不过价格不匪。
IC工艺里面所有的毒气都应该做过严格的保压，在几天几夜里绝对不允许泄露0.1个PSI，而且所有的毒气柜都有严格的排风保证，可以说是很安全的。
我认为比较安全的：DIFFUSION，MASK，相对危险的：IMPLANT，ETCH
ETCH工艺里的射频伤害相对是个比较严重而且很难避免的问题。

黄光区的毒害是里面的空气。因为PM和换光阻会挥发出来，然后有可能转化为苯类物质，这可能对造血功能和生殖系统有害。

机器吸不住wafer就一定是设备的原因吗?
用vacuum chuck住wafer的话，设备check机台流程应该如下：
1.check vacuum pressure是否in spec，Ok则如2所做，NG则调大了试试
2.用万用表量测vacuum sensor的电压值，是否为0，一般vacuum sensor都有多少inch Hg的标准，该标准的pressure达到，则sensor导通。若由5VDC不是瞬间变为0，那就说明chuck困难，需的dalay一段时间，如3所做。若长时间无法变为0，就会down机，而且连续不通lot wafer都会请更换sensor
3.更换不灵敏的sensor，或再用万用表量vacuum solenoid valve，看电压值24VDC是否瞬间供应，有时24VDC不足，仅有10VDC的话，valve开启就会变慢，造成delay，需要更换solenoid valve。
4.最重要一点！上述3项做前先用dummy wafer season看是否down，再改run其他产品看看是否down，若均能chcuk，快点请PE check wafer back吧，有时候wafer back不平或被抛光过就吸不住。曾经见过连真空吸笔也chuck不住的wafer哦.....

微电子辞典

Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子
Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触
Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层
Active region 有源区 Active component 有源元
Active device 有源器件 Activation 激活
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区
Admittance 导纳 Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发

Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
Backward 反向 Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合
Band 能带 Band gap 能带间隙
Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度 Base 基极
Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应

Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数

Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢
Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管

Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿 Break over 转折
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合
Burn - in 老化 Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区



Can 外壳 Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子

Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联 Case 管壳
Cathode 阴极 Center 中心
Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储

Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制
造
Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态
Conductor 导体 Conductivity 电导率
Configuration 组态 Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数
Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触 Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的
Cnverter 转换器 Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合
Covalent 共阶的 Crossover 跨交
Critical 临界的 Crossunder 穿交

Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶
格
Current density 电流密度 Curvature 曲率
Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享

Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的
Czochralshicrystal 直立单晶
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）

Dangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速
Decibel (dB) 分贝 Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
Delay 延迟 Density 密度
Density of states 态密度 Depletion 耗尽

Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触

Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice） Diode 二极管
Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器
Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁

Discharge 放电 Discrete component 分立元件

Dissipation 耗散 Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型
Displacement 位移 Dislocation 位错
Domain 畴 Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
Drift 漂移 Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量
Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装
Dynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗


Early effect 厄利效应 Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器

Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移
Electron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水
Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏
Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球 Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器 Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式
Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的
Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片
Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器
Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能 Excited state 激发态
Exciton 激子 Extrapolation 外推法
Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体

Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间
Fan-in 扇入 Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈 Fermi level 费米能级
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势
Fick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层 Filled band 满带
Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器
Flat band 平带 Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声
Frequency response 频率响应 Function 函数

Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高斯
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合

Geometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗
Graded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结 Grain 晶粒
Gradient 梯度 Grown junction 生长结
Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
Gunn - effect 狄氏效应

Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
Heavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
High field property 高场特性
High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子
Hybrid integration 混合集成

Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离
Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构
Implantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射
Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的 Injection 注入
Input offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑
Integration 集成、积分 Interconnection 互连
Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构

Interface 界面 Interference 干涉
International system of unions国际单位制 Internally scattering 谷间散射
Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作
Inversion 反型 Inverter 倒相器
Ion 离子 Ion beam 离子束
Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入
Ionization 电离 Ionization energy 电离能
Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性

Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离
Junction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁

Latch up 闭锁 Lateral 横向的
Lattice 晶格 Layout 版图
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟
/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动
Life time 寿命 linearity 线性度
Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线
Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅
Lorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型

Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板
Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组
Mass - action law质量守恒定律 Master-slave D flip-flop主从D触发器
Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦
Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结
Mean time before failure (MTBF) 平均工作间
Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面
MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术
Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配
Mismatching 失配 Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率 Module 模块
Modulate 调制 Molecular crystal分子晶体
Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增
Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片IC
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient倍增因子

Naked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻 Nesting 套刻
Negative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限
Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性
Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析

Occupied band 满带 Officienay 功率
Offset 偏移、失调 On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路
Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝灭
Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator光耦合隔离器
Organic semiconductor有机半导体 Orientation 晶向、定向
Outline 外形 Out-of-contact mask非接触式掩模
Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅
Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护
Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭 Overload 过载
Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物
Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化
Package 封装 Pad 压焊点
Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应
Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化
Passive component 无源元件 Passive device 无源器件
Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管

Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压
Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期
Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区
Phase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管
Photoelectric cell 光电池
Photoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚
Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）

Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应
Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触
Polarity 极性 Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅
Potential (电)势 Potential barrier 势垒
Potential well 势阱 Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器
Primary flat 主平面 Principal axes 主轴
Print-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率
Probe 探针 Process 工艺
Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse
Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
Punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级

Quality factor 品质因子 Quantization 量子化
Quantum 量子 Quantum efficiency量子效应
Quantum mechanics 量子力学 Quasi – Fermi－level准费米能级
Quartz 石英

Radiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤
Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固
Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合
Radioactive 放射性 Reach through 穿通
Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管
Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管
Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间
Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触
Reference 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率
Register 寄存器 Registration 对准
Regulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间
Reliability 可靠性 Resonance 谐振
Resistance 电阻 Resistor 电阻器
Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）
Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率
Response time 响应时间 Reverse 反向的
Reverse bias 反向偏置

Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
Satellite valley 卫星谷 Saturated current range电流饱和区

Saturation region 饱和区 Saturation 饱和的
Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射
Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基
Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触
Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格
Secondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝
Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度
Serial 串行/串联 Series inductance 串联电感
Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻
Shield 屏蔽 Short circuit 短路
Shot noise 散粒噪声 Shunt 分流
Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号
Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅
Siliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶 Sink 沉
Skin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间
Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路
Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带
Source 源极 Source follower 源随器
Space charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热
Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的
Spin 自旋 Split 分裂
Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance扩展电阻
Sputter 溅射 Stacking fault 层错
Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射
Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间
Stress 应力 Straggle 偏差
Sublimation 升华 Substrate 衬底
Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格
Supply 电源 Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下标
Switching time 开关时间 Switch 开关

Tailing 扩展 Terminal 终端
Tensor 张量 Tensorial 张量的
Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率
Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化
Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉
Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率
Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值
Thyistor 晶闸管 Transconductance 跨导
Transfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子
Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的
Transistor aging(stress) 晶体管老化 Transit time 渡越时间
Transition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物

Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区
Transport 输运 Transverse 横向的
Trap 陷阱 Trapping 俘获
Trapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发
Trim 调配 调整 Triple diffusion 三重扩散
Truth table 真值表 Tolerahce 容差
Tunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道电流
Turn over 转折 Turn - off time 关断时间

Ultraviolet 紫外的 Unijunction 单结的
Unipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞
Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关

Vacancy 空位 Vacuum 真空
Valence(value) band 价带 Value band edge 价带顶
Valence bond 价键 Vapour phase 汽相
Varactor 变容管 Varistor 变阻器
Vibration 振动 Voltage 电压

Wafer 晶片 Wave equation 波动方程
Wave guide 波导 Wave number 波数
Wave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁
Wire routing 布线 Work function 功函数
Worst-case device 最坏情况器件

Yield 成品率

Zener breakdown 齐纳击穿
Zone melting 区熔法

 

中国半导体设备

与材料产业：前途无限

    中国大陆半导体设备与材料产业正在落地生根，最终可能走向世界，对竞争对手构成威胁。虽然没有人认为这种情形会在一夜之间出现，但许多人认为它一定会出现。建立半导体设备与材料产业，是中国自力更生的宏观战略的一部分，这将使中国企业从该国迅速增长的半导体和电子市场中获取更大的利益。

    中国已经拥有一些本地晶圆供应商，主要用于满足国内的4、5和6英寸芯片厂需求。由于现代半导体工厂在中国出现的时间相对较短，所以中国新兴的半导体制造设备产业在先进半导体设备与材料方面还没有太大的作为。

    但随着几家中国初创公司不动声色地开发半导体设备，这种情况正在开始发生改变。尽管迄今为止的多数努力仍集中于化学气相沉积(CVD)和蚀刻(etch)，但已有几家公司和政府实验室在研究比较先进的光刻技术(lithography)。外界对于这些通常不爱抛头露面的初创公司所知甚少，但产业观察家相信，其中一些公司具有潜在的持久发展能力。

    投资银行Adams Harkness Inc.研究IC设备市场的分析师Avinash Kant表示，中国处于萌芽状态的半导体设备产业“可能面向应用材料(Applied Materials)、Lam Research和其它大型厂商所没有涉及的市场，但专利保护问题令我担忧。”

    中国大陆的半导体制造设备市场是亚洲增长最快的市场之一，2004年销售额达26亿美元，比2003年猛增132%。由于大陆最大的晶圆代工厂商中芯国际缩减支出，预计今年该市场的增长速度会有所放缓。

    但是，长期而言，由于税收优惠和补贴，以及本地不断成长的电子供应链，观察家预期中国将成为想建设芯片厂的公司所向往的地方。国际半导体设备暨材料协会(SEMI)6月发表的报告指出，中国将在2005-2008年新建20家芯片厂。

    “根据目前已公布的200毫米晶圆厂项目，未来几年中国对于低价设备的需求将出现增长。本地供应商也许能够以低价切入，并与二手设备供应商进行竞争。”SEMI中国总裁Mark Ding表示。“中国正在计划兴建更多的300毫米晶圆厂，如果本地设备供应商在提供200毫米设备方面表现良好并坚持研发，它们将有机会进入利润率更高的领域。”

    在上海，一些应用材料的前高管似乎成为先行者。他们构成了中微(上海)有限公司(Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc., AMEC)的核心。AMEC正在开发CVD和蚀刻设备，预计将在今年年底前推出样品，并在2007年推出可以上市销售的系统。

    该公司的目标是在2012-2015年以前夺取亚洲30%的市场。人们普遍认为，该公司的策略雄心勃勃。但它的计划具有足够的魅力，已吸引到了3,800万美元的风险资本和华登国际投资集团董事长陈立武(Lip-bu Tan)的关注。陈立武是中芯国际和华润上华(Central Semiconductor Manufacturing Co.)的早期投资者。

    陈立武率领一群硅谷公司对AMEC投资，这些公司包括：Redpoint Ventures，InterWest Partners，Lightspeed Semiconductor和Bay Partners。上海市政府的投资机构出资600万美元。

    风险投资家Koji Osawa表示，AMEC仍处于秘密状态，因此尚未透露其产品计划。Koji Osawa是风险资本公司Global Catalyst Partners的负责人和共同创始人，该公司在AMCE和其它企业中有投资。Osawa是AMEC的董事会观察员。

    Koji Osawa表示，中国半导体公司正在寻找低成本设备，以取代其海外竞争对手的产品，初生的中国半导体设备制造商可能有朝一日会站稳脚跟，成为部分设备的货源。他说：“目前这还不是一个得到充分发达的市场，但我认为中国设备供应商有机会进入这个领域。”

    但飞涨的开发成本，加上来自海外对手的强大竞争，可能使中国只有少数几家设备供应商能够活下来。Koji Osawa表示表示：“我认为中国不会有许多设备供应商。”

    据SEMI，中国大陆目前约有40家设备制造商，服务于半导体和相关的微电子行业，但目前没有几家能够对海外同业构成的威胁。他们多数从事后端设备生产，或者服务于老式的4、5和6英寸芯片厂，这些工厂占中国芯片产量的一半以上。

    “中国的半导体设备行业仍然非常年轻，一时还拿不出什么东西。”一位不愿意透露姓名的中国半导体设备初创公司的高管表示。“但中国想建立半导体产业，而制造设备是该产业的基础。”

    一段时间以来，本地厂商一直在游说政府，呼吁政府在先进设备的研发方面投入更多资金，而政府似乎也对于加快本地芯片和LCD设备产业的发展非常感兴趣。政府希望鼓励芯片厂商购买国产设备，但必须谨慎制订相关政策，以免违反世界贸易组织(WTO)的规则，比如过去的退税政策。其中的一个可能性是，把研发资金分配给晶圆代工厂和本地设备制造商，它们可以组成一个类似于Sematech的合作研发组织。

中国设备产业可能帮助巧妙处理出口问题

    上述活动，如果能够适时地得到中国芯片厂商的支持，可能形成稳定的本地先进设备供应源，从而避开海外的半导体设备出口许可证问题。而且也可以为该市场引入更多的竞争，从而推低设备价格。目前外国限制对中国大陆出口制造用于基带，以及导弹瞄准系统的芯片的设备。

    对于中国是否会成为半导体设备与材料市场中不可忽视的力量，人们看法分歧。应用材料和ASM Lithography这样的领导厂商认为近期不存在威胁，但它们关切五年后的情况。

    “我认为中国将生产半导体制造设备，”从事低k介电材料的美国加州初创公司Silecs Inc.销售副总裁Jim Easton表示。“这要求美国比目前更有竞争力。”

    ASM NuTool Inc.的资深销售主管Werner Rust预言，中国的半导体制造设备产业“将非常迅速地成长。将需要三到五年的时间。” ASM NuTool Inc.是荷兰ASM International BV的旗下公司。

    Werner Rust表示，他不相信中国企业能够在那么短的时间内开发出光刻之类的复杂技术，但他相信，有些厂商可能会打入利基市场。“它们将开始行动，生产自己的扩散炉(furnace)。我相信它们能够制造真空设备。”他说。“我认为它们不会去开发原子层沉积，但可能生产化学机械研磨(CMP)。”

    比有形的工厂设施更重要的是，中国正在积累相关技术和经验。Werner Rust表示，曾经在美国半导体设备企业工作过的中国人，目前越来越多地投身于中国初生的半导体设备产业，推动其向前发展。

    但有些厂商对于中国半导体设备行业的看法没有这么乐观。“它们在材料方面发展缓慢，处于落后状态。” Dow Corning的半导体生产材料全球销售经理Philip Dembowski表示。“我没看到中国有任何光阻材料公司。也没看到任何化学机械研磨液(CMP slurry)供应商。”

    Philip Dembowski认为，中国半导体设备厂商可能在打入本地市场方面取得成功，但可能难以打入其它亚洲国家、欧洲和美国市场。

    但这正是AMEC、Shanghai Micro Electronics Equipment和Beijing Seven Star等中国企业的最终目标。它们希望说服当地厂商开始测试它们的设备，也许是趁产业处于低迷时期，因为此时艺工程师有更多的时间。它们相信，它们产品较低的拥有成本——有些国产设备的拥有成本比国外厂商最多低35%，加上所承诺的性能优势，一定会吸引国内外的厂商前来一试。

    但这需要时间。韩国从20世纪80年代末就一直努力打造一个强大的半导体设备产业，但在全球市场中的份额达到10-15%之后，就未能取得更大的进展。台湾地区也想建立起自己的半导体设备产业，但结果还不如韩国。

    虽然如此，对于杰出者来说，在该市场中仍然存在发展空间。韩国Jusung Engineering Co. Ltd.是一家半导体和LCD制造设备供应商，是该领域中成长最快的公司之一。它取得了亚洲、美国和欧洲客户的信任，预计2005年销售额将从2003年的271亿韩圜增长到2,237亿韩圜。

    日本在发展半导体制造设备产业方面是亚洲最为成功的国家，但即使如此，该国的厂商在开始自己的创新活动以前，也是从模仿现有厂商开始起步的。预计中国企业也会从事类似的拷贝活动。

    厂商保护自己市场份额的一个较好方式，可能是重视超值服务，如整合与售后服务。大型厂商在与芯片厂更密切合作方面具有明显优势，特别是可能需要更多的整合方面的帮助，或者希望在工艺开发方面进行更密切合作的中国大陆和台湾地区的芯片厂。

    “许多时候，从拷贝阶段跳跃至实际提供可以在客户那里正常运行的解决方案，是非常困难的。” VLSI Research Inc.总裁Dan Hutcheson表示。他是半导体设备行业的专家。

    以于中国来说，它的半导体设备行业处于幼年时期，客户规模小于日本，而且垂直整合程度不如韩国。这些都是需要克服的障碍。

    “对于它们来说，要想发展出一个能够生存的半导体设备产业，可能需要很长的时间，也许需要10年，甚至20年。” Dan Hutcheson表示。“但是要记住，中国人非常有耐心。”

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东精精密设备(上海)有限公司副总经理周雅萍:     两大策略拓展中国市场     众所周知，中国半导体市场近年来迅速发展壮大。Accretech(东京精密)公司的半导体业务也随着中国半导体市场的成长不断扩大。为了提供及时和规范的备件供应，满足半导体客户无待机时间的严格要求，东京精密在1994年成立办事处的基础上，2002年又在上海成立了现地法人公司--东精精密设备(上海)有限公司，同时，在上海外高桥设立了保税库。Accretech的现地服务队伍也相应扩大，这些都已成为Accretech提供高效快捷服务的基础。     中国半导体市场在高速发展，半导体设备的需求也在不断变化。尤其是国际上知名的半导体生产厂陆续在中国内地建立生产基地，加速了中国半导体生产制作技术的提升。     中国客户对半导体设备的需求也发生了变化。几年前，客户要求价格便宜工艺简单的设备，通常客户感兴趣的设备为Accretech生产的低端产品。随着中国客户半导体生产工艺水平的提升，中国客户对先进的生产设备需求不断增加。在设备采购过程中，加工质量成为主要的考虑因素。另外，由于中国客户在不断提高生产工艺，Accretech开发的新产品也以其优良的性能价格比，在中国受到欢迎。比如Accretech新开发的硅片背面减薄机，可以将硅片减薄到50μm，用于对硅片厚度有特殊要求的封装工艺，它可以集成硅片减薄的粗磨、精磨、抛光、去保护膜和贴划片膜工艺，目前许多客户对此类先进设备也非常感兴趣，有些客户已经在使用此设备进行生产。

相关评论： 可可猪 [2005-3-17 18:18:24]     由于中国内地市场对半导体设备的要求在变化，Accretech公司也针对半导体设备市场的需求，转变公司的销售策略。Accretech将继续加大传统半导体设备的销售，进一步提高售前售后服务的质量。对探针台来说，Accretech的探针台已被中国客户接受，占有比较大的市场份额，工作重点主要是提高产品的售后服务质量，保证快速的备件供应。对于划片机来说，Accretech将针对中国客户推出新的产品，并推广高端的划片机产品，如全自动划片机及双主轴划片机。同时，Accretech也将加大新产品的推广力度，主要是用于半导体前道工艺及硅片表面缺陷检测设备WW50及CMP设备ChaMP。这些前道设备均为Accretech近几年开发的新设备，吸收了原有设备厂商的经验并融合了Accretech先进的精密加工技术及技术解决方案，可以满足最先进的半导体加工要求。随着中国内地芯片厂的增加，我们相信新设备的销售将是Accretech在中国半导体业务的新增长点。     从全球半导体市场看，2005年半导体市场将又一次进入调整阶段，但相对上次的低谷时期对设备厂商的影响要小。我们预测到2006年3月市场会有所回升。今年Accretech将继续扩大工厂生产规模，继续革新生产工艺，降低制造成本，迎接快速回升的繁荣市场。当然全球半导体市场不景气对中国的市场也会有影响，但通过全体员工的努力，我们相信今年的中国市场将保持稳定。     Accretech的产品品牌由原来的TSK变为现在的ACCRETECH，东京精密将继续在中国加大市场推广工作。我们将参加在上海举办的Semicon China及在北京举办的IC China展览会。相信中国客户将更加了解东京精密，了解ACCRETECH不仅是优秀的探针台及划片机生产商，而且可以提供先进的前道加工设备。 可可猪 [2005-3-17 18:18:48]    Novellus Systems公司亚太区运营高级副总裁Chen Fusen:     强化设备生产能力服务客户     很明显，由于中国的半导体市场日渐成熟，这个地区将在全球半导体工业的增长中扮演越来越重要的角色。市场分析家预测，2004年中国整个电子工业的收入已增加到1800亿美元以上(Dataquest)。同时，根据Dataquest预测，与全球6.7%的复合年度增长率(CAGR)相比，中国电子工业从2003年到2008年将增长12.9%，2005年数字、蜂窝和基于DSL的产品预计将超过360亿美元，这代表着最大的市场部分。     通信和消费电子产品、移动电话、家用电器、电视机、DVD播放机的增长和其他新一代应用，继续推动着中国对领先的芯片的需求。为了满足这种需求，中国的半导体生产日渐增长，反过来，这也刺激了具有成本效益和生产效率的用于生产新型IC的半导体制造装备的需求。芯片制造商继续面临着巨大的制造挑战，因为他们要跟上日益增长的市场需求，满足那些低功耗和灵活性的更小和更快的产品应用要求，又因为高档消费产品需要更多特殊的材料，诸如铜金属化和低k介电质等，制造过程中也就需要更先进的设备。器件的缩小、新材料的应用和晶圆基片尺寸的增加，共同引发了一场对高成本带来巨大冲击的技术创新的"完美风暴"。诸如铜金属化、低k介电质、高k栅氧化层、绝缘体上硅(SOI)和应力硅晶格等技术，都需要工程设计资源和资金方面的巨大投入，以确保制造工艺的无缝整合。     为了迎接这些制造方面的挑战，设备制造商需要扩展其现有设备的生产能力和设备的使用寿命。平台可延伸性可以满足技术和生产力两方面的需求。假如没有众的技术，要在一两个制造节点的平台可延伸性方面领先，通常是不可能的。在美国和欧洲那些成熟的市场，的确是这样，在中国这样的新出现的市场也不会例外。 可可猪 [2005-3-17 18:19:10]    在像中国一样的对成本敏感的市场，制造商面对的挑战在技术和生产能力方面提出了一个新的问题。为了节省成本而投资于过时的或质量低劣的设备，不仅影响下游产品的质量，还要求制造商根据每一种器件尺寸的缩小而在新工具方面进行投资。要使设备的使用寿命可以覆盖多个工艺发展阶段的更有效的方法，就是投资于具有可扩展性和灵活性的优质高科技设备。     为了帮助用户克服制造面临的挑战，Novellus的整个产品线均具有平台可延伸性。例如，电化学沉积技术最初是用于0.25μm的，现在无需重新设计已经扩展到了45nm的SABRE Electrofill平台。在2004年12月，Novellus把第一台SABRE300mm铜电镀设备装运到一家领先的中国代工厂。     同样，INOVA物理蒸发沉积(PVD)系统也是这样，它最初是在180nm的微米级应用的，现在已经延伸到了45nm平台。在化学汽相沉积(CVD)方面，诸如钨沟填脉冲晶核形成层技术的创新，使Novellus能够利用ALTUS系统，在极端困难的45nm结构条件下，进行无气泡填充，而不牺牲CVD方法固有的生产效率。类似的创新也被用于铝质蚀刻制造工艺中先进的电介质填充，以保持高量产的CVD沉积率。Novellus的VECTOR系统是专门为在同一个反应堆中沉积先进的低k介电质膜优化的，该反应堆过去经常用来沉积比较普通的硅氮化物等的薄膜。此外，用于250nm工艺的同样的平台也能用于45nm工艺。     从长远来说，技术和可靠性的焦点在于，既要有低成本的系统服务，也要减少先进器件的制造成本。随着最前沿技术的应用，可以使制造商能够生产更具有附加价值的个性化的产品，以便在市场上获得额外的回报。这既迅速满足了日益成长的中国需求，中国的半导体工业也很有可能克服影响全球工业的一些相同的难题。为了支撑长期的增长和扩张，除在成本方面进行竞争外，中国的半导体工业需要提升到更优质的档次。 可可猪 [2005-3-17 18:19:30]     爱德万测试(苏州)有限公司ATE事业部总经理森屋裕一:     维护和服务是第一目标     伴随着业界景气的恢复，2004年也成为外商对华投资再开始的契机。中国半导体产业伴随着中国半导体市场的快速成长，在政府欲增加国产化比例的政策下，全球性的IDM企业增产，Foundry的规模扩张，Assembly&Test工厂的新计划等被实施，在世界半导体量产工厂的行列里，中国正扎实地继续构筑着自己的地位。     受此影响，2004年爱德万测试的半导体测试设备，在中国的新装机和移机数达到了近300台，目前在综合安装台数上，取得了中国第一的成绩。特别是2004年由于相当多的设备从海外移到中国内地，对二手设备的服务内容也亟须充实。2004年爱德万测试面对大量的被引入到中国的设备，以系统的维护、增强售后服务为第一目标，招募了大批软硬件工程师，增加了维修零件的库存，增设了提供支持服务的网点。目前爱德万测试在中国的服务体系和质量与其他海外分公司相比毫不逊色，这是提供中国第一的支持服务的强大基础。     另一方面，纯粹的中国内地的IC设计市场也从2003年度的46亿元的规模，发展到2004年翻了一番的程度。在此之前低端芯片是主流，但2004年从中端到高端的芯片也得到推广，一部分正在实现量产化。针对中国的IC设计公司，2004年爱德万测试，在各地半导体协会的帮助下，特别是通过召开以SOC测试技术为主的研讨会，在测试程序的作成、设计评价、量产芯片评价等方面，为IC设计公司提供支持，为中国半导体产业的发展作出了努力。 可可猪 [2005-3-17 18:19:48]     2005年，纵观世界半导体产业，前半期会继续上一年度后半期以来的低迷情况，在中国也会受到设备投资削减的影响，但与其他地方相比，预计仍然会继续增长。IDM各厂商的新工厂开工和计划落实，新Foundry工程的计划和Assembly&Test工厂的运作，增产、新项目开发等举措在中国各地都会陆续得到推进。爱德万测试将进一步提高工程师的水平，增加程序开发力量，在更多的城市建立起新的支持网点，构筑更强大稳固的支持，组织方面投入更大的力量。同时，我们还将在半导体设备所使用的软件、应用程序的开发方面，研究如何有效利用中国的资源，加强与企业的业务合作关系。     另一方面，中国设计市场，如数字电视以及对应于3G的通信设备等中端芯片正在逐渐开始实现量产化。而在此之前，中国内地设计的半导体芯片，使用0.36μm以上工艺技术的低端产品占了大部分，像MCU那样在量产上无需依靠专用半导体设备进行出厂检查的芯片比比皆是。但是最近，在中端以上的芯片设计领域，且不说设计评价，就是在量产上，测试的重要性也得到了大家的认同。     这次Semicon China，爱德万测试将以"为量产作贡献"为主题，介绍在业界50年间在全球量产上作出的成绩以及在中国设立上海公司以来的10年间为中国半导体产业作出贡献的历史，展示在全球范围内装机数超过600台的SOC量产机种T6575(HL系列)并进行操作演示。而且，2005年，爱德万测试也计划在中国市场开始销售充实了模拟功能的低成本测试设备T7722。

一头老驴，掉到了一个废弃的陷阱里，很深，根本爬不上来，主人看他是老驴，懒得去救
他了，让他在那里自生自灭。那头驴一开始也放弃了求生地希望。  
 
每天还不断地有人往陷阱里面倒垃圾，按理说老驴应该很生气，应该天天去抱怨，自己倒
霉掉到了陷阱里，他的主人不要他，就算死也不让他死得舒服点，每天还有那么多垃圾仍
在他旁边。可是有一天，他决定改变他的人生态度（驴生态度更确切点），他每天都把垃
圾踩到自己的脚下，从垃圾中找到残羹来维持自己的生命，而不是被垃圾所淹没，终于有
一天，他重新回到了地面上。  
 
不要抱怨你的专业不好，不要抱怨你的学校不好，不要抱怨你住在破宿舍里，不要抱怨你
的男人穷你的女人丑，不要抱怨你没有一个好爸爸，不要抱怨你的工作差，工资少，不要
抱怨你空怀一身绝技没人赏识你，现实有太多的不如意，就算生活给你的是垃圾，你同样
能把垃圾踩在脚底下，登上世界之巅。  
 
这个世界只在乎你是否到达了一定的高度，而不在乎你是踩在巨人的肩膀上上去的，还是
踩在垃圾上上去的。我认为踩在垃圾上上去的人更值得尊重。  
 
年轻没有失败，看驴生豪迈，不过重头再来

1:能不抽烟最好不抽，它或许可以帮助你吸引一些女生，但不抽绝不会招来厌烦，表现男子气概的途径有很多，没必要拿健康做赌注。
 
2：给自己定目标，一年，两年，五年，也许你出生不如别人好，通过努力，往往可以改变70%的命运。破罐子破摔只能和懦弱做朋友。
 
3：找女朋友外表是第一关，但要了解她的品行之后再做打算也不迟。
 
4：不要在乎小钱，工作的人都后悔从前对自己的GF不够好。记住你们的重要日子，你们的谈话，女生要敏感得多，这样做，至少可以证明你对她的重视。
 
5：爱她，但别怕她，你们是恋人，也是朋友，她要的不是宠物，这样的感情，走不长远。
 
6：她要是病了，带她去医院，她害怕时，找个人少的地方抱着她，给她勇气，帮她排队，挂号，放下你那点可悲的面子，周围人只会向她投来羡慕的眼光，不会对你说三道四。
 
7：别把两个人的生活绞在一起，空间才是爱情的长寿药。不要经常吃醋，谁都有异性朋友，该吃的时候才吃，并且让她知道。
 
8：善待她的朋友，即使她讨厌的人，你也没资格说坏话，你要做的，就是静静的听她倾诉。适当给她安慰。有时候，她们更需要依靠，即使你们都还是学生。
 
9：不要问她过去，时机到了，她会毫无保留的告诉你。她要是想见从前那位，让她去，原因是你不让她去，她也会去。为何不表现得大度点，但要让她知道你相当的郁闷。
 
10：珍惜身边人，不要见异思迁，大家都需要安定。即使对方比你GF漂亮10倍，还主动靠近你，给你暗号，请严肃的告诉她，你有女朋友！
 
11：她开始管你的生活，你的钱 ，对你唠叨，频繁发消息询问你的位置。别担心，她只是把自己交给了你，害怕失去你。
 
12：带她去你从前常去的地方，她内心会无比快乐，你失意时，她会在第一时间找到你。
 
13：发生口角后，别关机，也别在街上和其他异性闲逛，那只能使矛盾激化。
 
14：过生日，送她草莓蛋糕，不要太大，但要足够精致，把你对她的腻称放在蛋糕上。再买一个大的，让她和朋友一起过。
 
15：牵手时，即使你的手有多汗，也别放开。
 
16：把她介绍给你最好的朋友，包括异性朋友。
 
17：别总是让她打电话来，她也需要被重视的感觉。
 
18：衣着尽量和她的品位搭调，即使你要提升品质，请带上她一起。
 
19：别偷看她的隐私，不要去猜测，在一起是缘分，离开也是缘分。
 
20：如果失恋，不要轻信江湖上传言的借酒消愁，吐的滋味不好受，即使喝了，也别急着喝茶，茶不但不能解酒，反而还会伤肾。
 
21：不要整天想着如何重修旧好，除了爱情，前面还有许多问题需要你去解决。这是个现实的社会，感情不能当饭吃，贫穷夫妻百事哀。不要相信电影，那只是个供许多陌生人喧嚣情感的场所。
 
22：分手之后，可以伤心难过，但过渡期不能太长，因为这期间是绝佳的学习和工作时间。
 
23：如果你实在奈不住寂寞，至少等上大半年，否则你不仅否定了她，也否定了你自己。
 
24：当她不再爱你的时候，无论你有多想她也别打电话告诉她，因为有些人会记住第一个，而有些人只会记住上一个。
 
25：好朋友里面，一定要培养出一个知己，不要以为你有多么八面玲珑，到处是朋友，最后真心对你的，只有一个，相信我。
 
26：她的离开如若是一个重大打击，找间手艺不错的发型设计理个发，这样可以让你涣然一新。
 
27：不要去打扰她的生活，她只会觉得从前看错人，你也会鄙视自己。
 
28：你们在街上相遇，请向她微笑，把微笑留给伤你最深的人。
 
29：告诉周围人，你和她已经分手，避免他们给你打报告，哪天又看见谁谁谁了。
 
30：不要相信星座命理，那是哄小朋友的，命运在自己手中。难道你想等出栋房子或是车子？
 
31：你的朋友最好以你自己为中心发散，允许少数支点连接，千万不要把朋友圈变成密不透风的多边型，你要为自己留底牌。
 
32：不喜欢的人少接触，但别在背后说坏话，说是非之人，必定是是非之人，谨记，祸从口出。
 
33：朋友圈里的你，平时都很忍让，请注意适当拿出你的主见。反之，不要太计较。
 
34：给老师或者领导留下好印象，他们不会在你沉沦时再踩你几脚，相反可能会拉你一把。在社交中，原则是跌停股，世俗是潜力股。
 
35：少玩游戏，这不是韩国，你打不出房子车子还有女人。进了大学，就进了社会，这是场马拉松。北京现在一个砖头抛上去，砸下来7，8个研究生受伤，现在的你是否该有点打算。
 
36：拿出极限，尽力而为。你要想的是成功，而不是失败。所以面对困难首先就是拿出信心。除了你心爱女人的鼓励，这应该是最有用的东西。
 
37：定时整理书桌书柜，良好的精神面貌可以让你事半功倍。
 
38：学好英语，那些说学英语没用的暂时可以不去管，他们要么年纪大了，要么就是自己早过了CET6准备托福了，在这里哗众取宠。你可以不拿证，但一定要学好。
 
39：不是足够热爱你的专业，并且学出来前途不够光明，趁早转业。现在更多人更看重“钱途”
 
40：知道自己要干什么，寝室的卧谈会的确可以帮你磨嘴皮子，夜深人静，问问自己，将来的打算，并朝着那个方向去实现。
 
41：偶尔翻翻时尚类的杂志，女朋友和女性朋友都可以从中受益。
 
42：尽量少看A片，正常的男人即使是单身，也不会成天迷恋肉欲。而每次你SY后都会有大量锌元素流失，此元素与你大脑活动有密切联系。
 
43：坚持做运动，俯卧撑可以锻炼你的胸肌和腹肌，请记住游泳圈是成功人事才有资格拥有的奢侈品。
 
44：每天早上一杯水，预防胆结实。睡前一小时不要喝水，否则会过早出现眼袋。
 
45：宁愿要深色袜子也少买白色的，这样会让人觉得你不够成熟，学生朋友自便。
 
46：新同事或新朋友请你吃饭，不要觉得理所当然，请礼尚往来，否则你的名声会越来越臭。无论是大学还是公司，很多故事都是听来的。
 
47：有男友的女人不要碰，即便你想one night stand 也要做好心理准备。后果同上，严重时会出现体肤之痛。
 
48：朋友的女人不要碰，无论是现在的还是曾经的，后果同上。要知道，男人经营自己就像经营一个公司，要树立品牌文化。想问为什么的朋友请先做个你是受害者的假设，再跟我发短消息讨论。
 
49：博爱的女人不要碰，往往这种女人连自己要什么都不知道，我想没人愿意和若干成年男性分享自己的爱。天作孽，犹可活，自作孽，不可活。
 
50：没主见，不上进，懒惰的女人不要碰。就算你有钱，你有的是钱，最终你也会厌烦其中。何况不见得她们个个都是花瓶，何况你还有审美疲劳。
 
51：不以物喜，不以己悲，我知道这很难，但要成功，这是必修课。
 
52：空闲时间不要全拿去泡BAR，读点文学作品，学习一些经营流程，管理规范，国际时事，法律常识。这能保证你在任何聚会都有谈资。
 
53：每年回母校看看那些为你付出过的老师，走上社会你才了解她们才是无私的，比起那点学费，她们简直太伟大了。学会感恩。
 
54：回家帮父母做点简单家务，陪他们买菜，做饭，逛街，冬天送他们一人一件羽绒服，他们并不奢望什么，但他们需要得到你的承认，中国的父母是最苦的，孩子是最幸福的。（离婚除外)
 
55：大家都年轻，没什么钱，不用太在意谁谁又穿AD ，NIKE ，或者其他。而GF对于PRADA，蓝寇，CD，LV，的热恋，你也不必放在心上，女人天生和美挂上了勾，她们只是宁愿相信你能够为她们买一样昂贵的礼物，以满足她们的虚荣心，然后在同伴面前炫耀一番。实则她们也是热爱生活的，而当你有能力完成时，也会觉得把她包装得漂漂亮亮的很是欣慰。
 
56：告诉她，你喜欢的内衣。或者在UNDERWEAR店要打佯时陪她去买。
 
57：欺负她时，请带上套子，如不习惯，请自行解决，直到无法忍受为止，或者泼自己一身冷水。流产很痛苦，我只是听说。
 
58：有正义感，但请更理智，你父母不希望养育二十多年的儿子化为泡影。但当她遇到流氓时，请你勇敢的挡在她前面。大声说话可以让你的勇气迅速提升。（这是我答辩时认识到的）
 
59：最好不要在她面前玩天真，多数MM都不喜欢，除非她要求。
 
60：接吻前先嚼块口香糖，接吻时请闭上眼睛，睁开时，告诉你有多爱她。
 
61：尊重每一个人，括为你擦鞋的，卖报的，环卫工人...等等。
 
62：接到陌生电话请先说，“你好，找哪位”
 
63：想发脾气时，尽量忍，忍不住就去厕所蹲半个小时，或是找个海拔较高的地方站半个小时。
 
64：如果GF要跟你吵，尽量克制，不能避免时，跟她吵，吵架是最好的交流方式。你们互相可以得到心里渴望已久的答案。但别带脏字，别把对方的亲戚带出来，最后尽量妥协，有些事，只能暂时妥协。不要把问题留过夜。
 
65：出差回来给她一个惊喜，并带上礼物。（想在这条上跟我开玩笑的朋友，请私下跟我开）
 
66：在她兜里放些零钱，在她不常用的兜里放张一百。
 
67：尊老爱幼，帮助别人后，你会感到无比轻松快乐。
 
68：去市场买东西，杀价先杀四分之三，现在杀一半行不通了。
 
69：如果可以，给你的对手留条生路，钱是赚不完的。这个世界上，没有天生的敌人。
 
70：饮水思源，永远做一个有思想的人，即使你不会有大成就，钱也会足够花。
 
71：为她学一首歌，如果可能，结婚时当着大家的面唱给她听。
 
72：要做一件事，成功之前，没必要告诉其他人，成功之后，和他们分享快乐。
 
73：每年去寺庙为家人点几盏油灯，告诉自己的良心，你不在的时候，同样是爱他们的。
 
74：学会察言观色，不要意气用事，否则会有许多不必要的麻烦。
 
75：享受孤独，地球不会因为只有你一个人而停止转动，也许她会很晚才出现，在此之前，你要学会正确利用时间，并且让自己发光发亮。
 
76：从前的她，深夜给你打电话，如果你还爱她，接电话。如果你不爱她，关机。（没听见不在讨论范围之内）
 
77：夜里的约会最好不要选择偏僻的地方，有些突发事件，会让你痛不欲生。如果你还爱她的话。
 
78：公司的东西不要带回家，即使有小便宜，也别参与，在你成为领导前，也别指责，这是你管不到的。
 
79：开发你的另外一个情感宣泄功能，倾听。
 
80：朋友之间不要合作做生意，或者办公司。麻烦会接踵而来。你要减轻负担，减小风险，可以，找陌生人。
 
81：今日事，今日毕，不要日复一日，年复一年。不然到你60岁，你还告诉孙子，爷爷明年一定要毕业！
 
82：感谢曾经爱过你的人，她祝福你的短信，一定要回。
 
83：朋友之间发生争执，不要次次都是忍让，每个人都有坚持自己的权利，让他们知道你的想法，你所坚持的。没关系，不出两天，你们又是好朋友。
 
84：说该说的，不说不该说的。对朋友，也应当有所保留。对她，不要把她和从前那个相提并论，谁都受不了。
 
85：头发，指甲，胡子，打理好。社会是个排斥性的接受体，这个星球所需要的艺术家极其有限，请不要冒这个险，就算你留长头发比较好看，也要尽量给人干净的感觉。
 
86：牌局可有可无，那不是年轻人该干的，除非工作需要，否则不要培养这种兴趣。当你看见GF坐在赌博机面前聚精会神的呐喊着某张牌时，你是什么感觉？
 
87：每学期给自己写总结，上课认真学习，所谓的好好学习，天天向上，学好了，就是最管用的绝招。机会常常伪装成麻烦，从你身边路过，也只会留给做好准备的人。上班的朋友同理。
 
88：不要整天把国家大事摆在嘴上，去改变你能改变的，接受你无法改变的。
 
89：选一个生日陪你母亲过，那也是她的受难日。不要年年都和同样一群人过。到头来，全心为你的，只有她。
 
90：有了手机，尽量少上网，就算你仅仅是看新闻，读文章，大把时间也会不经意从你身边流失。
 
91：不要以为你是个男人，就不需要保养。至少饮食方面不能太随便，多吃番茄，海产品，韭菜，香蕉，都是对男性健康有益处的食物。你要是看不到价值，我可以告诉你。至少你能把看病节约下来的钱给她多买几盒DIOR。
 
92：善待小动物，你以后也有子子孙孙，同样是生命，培养一下自己的爱心吧。这并不表示你懦弱。
 
93：如果考公务员，要有十足的心理准备。早点开始托关系吧，还不见得一定就有收效。
 
94：力求上进的人，不要总想着靠谁谁，人都是自私的，自己才是最靠得住的人。
 
95：如果你们相处几年下来，她开始冷落你，对你不闻不问，请别怪她，让她离开。给不了她幸福，给她自由。
 
96：如果你想和她说分手，请在考试之后，人都是脆弱的。
 
97：她给你买礼物，你可以高兴，但不要太高兴。人生就是场经营，有人经营感情，有人经营利益，有人经营幸福，而有人经营阴谋。
 
98：面对失败，不要太计较，天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿起体肤....但要学会自责，找到原因，且改掉坏习惯。二十岁没钱，那很正常，三十岁没钱，那是宿命。
 
99：学会微笑，以后在很多场合都用得上它。如何让微笑好看，首先你得拥有健康的牙齿。如何保证牙齿健康，一，早晚，饭后刷牙；二，每年去探望一次牙科医生；三，少管闲事。
 
100：凡是要坚持，就像我写这篇文章一样。

企业做到一定规模，老板自然风光，然而随之而来却是企业发展方向的抉择，这种思考的痛苦是企业员工所不能理解的。企业到底要不要发展壮大？如果企业需要进一步发展，是自己来做还是请职业经理人，又面临着处理老板与职业经理人间的种种矛盾；矛盾发生时，职业经理人拍拍屁股就可以走了，但是老板却还得捡起烂摊子，像黄宏生和陆强华事件给老板留下来的将是很大的阴影

现在，大部分中小企业的老板是依托中国改革开放的机遇而成功的，事实上他们本身的素质并不是很高。当然老板成功了肯定有其成功之处，比如有的人勤奋，有的人聪明，但他们不可避免地存在着修养的短板，包括知识修养和境界修养，很多时候，他并不知道自己的做法合不合适或者正不正确，甚至触碰了法律，最后其法律后果还得老板自己承担。

亲情之痛苦

在这样的位置上，老板的付出比一般人多很多。算算老板的工作时间，早上八点钟到办公室，中午开会或者陪人吃饭，下午接待各种各样的人，晚上还要应酬，比普通的三陪还要痛苦，等到回家的时候，小孩睡了，太太也睡了，老板与太太双方的角色就像两种职业，一个是职业老板，一个是职业家庭主妇，由于缺少沟通，两者间也越来越不可能产生共鸣。

除了家人，还有兄弟等。有的人做了老板以后，由于利益的纷争兄弟姐妹反目成仇，老板成了孤家寡人。有的是几个好朋友一起做生意，开始很好，做到一定程度，每个人的想法就不一样了，有的说我还要继续发展，急需钱投资，不能退钱，最后是胡志标式的断臂之痛。

身体之痛苦

宁愿胃里喝个小洞洞，也不能让感情上出现小缝缝。很多老板不仅工作要动脑，而且还要陪各色人等交际应酬，结果，肚子大了，头发没了，身体垮了。老板的成功是牺牲了很多身体代价的。实际上，老板的时间是被秘书安排的，老板往往成了秘书的奴隶，越大的老板越是没有时间安排自己的生活。因此像王均瑶那样的老板绝对是累死的。

孤独之痛苦

老板的交际圈很广，但风光只在表面。与政府，永远是官和商讲不清楚小心翼翼的关系；与家人和亲人，疏于沟通可能出现了裂缝；与原来的朋友，经过多年的创业，要么分离，要么剩下来的就是下属关系。

企业展到一定程度，公司的烦恼老板已经不可能和太太谈公司的事情，也不能和朋友说，因为这是商业机密。老板只能和几个重要的骨干讨论，但是下属和老板之间永远是上下级的关系，隔着距离，老板也不可能把所有的话告诉下属。有了烦恼，不能和家人说，不能和朋友说，更不能和下属说，老板高处不胜寒。

又有老板开玩笑，星期六星期天找职业经理人打球的人很多，但找他们的很少，因为没有人愿意和老板在一起。不能随便外出，不能随便做事情，老板的一举一动都要考虑到企业的形象，享受不到别人所谓常态的快乐。

财富之痛苦

很多老板，有了钱比没钱更痛苦。特别是中小企业的老板，考虑到财富的安全，穿的和吃的并不比以前更放得开。

有的老板，逢年过节头皮都发麻了，因为变相的敲诈随时在发生。

有时候老板看起来大，实际上比谁都小，黑白两道都要去应酬，大小部门也要去“烧香”，谁让你身价过亿？甚至有小混混赌钱赌输了，看当地哪个老板大，就直接跟他说，我在哪里输了多少钱，你给我拿多少钱过去。这种情况在珠三角非常普遍。

安全之痛苦

哪个老板在经营当中一点不得罪人？因此，老板总是在担心着自己的生命安全，甚至于在家里都安排保镖。有的老板连洗头吃饭等所有活动都有自己固定的地方，他无法享受常人多姿多彩的生活。

很多老板特别是中小企业老板对子女的教育方式已经变成了一种畸形。他们不敢让自己的小孩和别的小孩一起玩，把子女送到贵族学校，不是考虑学校良好的教育环境，而是考虑到安全系数高，子女送进去，大门一关出不来就安全了。星期六星球天很多老板还把小孩带到身边去上班，不是有意培养他们，而是把小孩放到什么地方都不放心。他们的出身注定了他们的命很娇贵。

变态之痛苦

珠三角老板圈子里流行着一句话：老板不是人干的。中国的老板们特别是中小企业的老板越来越过不上正常的生活，包括不正常的人际关系和不正常的心态。

比如，有的老板会包养二奶。从某种意义来说，这可能是他们对自己压抑生活的一种发泄渠道，但事实上这又是一种不正常的生活。这种东西往往是用金钱交易得来的，不是真正的感情。这样的做法其代价对于老板来说可能非常大，轻的因此被敲诈勒索，重的是老板把这个人引进公司，成为二当家，那么将有可能给整个企业的经营管理造成很多裂缝。比如，有的老板会赌博甚至吸毒了，有的老板非常迷信。由于先天的知识结构不足，常常有老板莫名其妙的赚了钱，又莫名其妙地让自己的企业垮了台。正因为缺乏思考问题的眼界，老板就像古代人一样，搞不懂自然现象的时候只有求助于迷信崇拜。

责任之痛苦

谁都可以死，偏偏老板不能死。不管什么老板，大大小小，总是有几百人几千人几万人等着找他要饭吃，如果他的离开导致企业的破产，那么很多人都面临着重新选择岗位，甚至对整个产业都可能产生影响。无形中老板对社会做出了巨大的贡献，但是正是这些使命使得老板不得不面临其他的痛苦：社会的仇富心态和自己的身心疲惫。由于中国社会长期以来形成的财富文化使得这些“资本家”们在社会上承受着相当的舆论压力；另外，每个人总有疲惫的时候，社会的责任、市场的竞争、各种人际关系都迫使老板们无法自由地退出自己的职业舞台。当年巨人的失败，所有的人都在骂史玉柱，他所承担的负债压力和社会压力不是常人可以想像的——曾经一晚上就抽了五包烟。

学习之痛苦

无论企业作为学习性组织，还是老板本身需要改变学习，很多老板是又工作又学习。但是一个成功的人往往会用过去的经验来衡量今天的经历，以前这么做可以成功，那么现在是不是也可以这么做？然而一个渴望超越自己的人其实不得不面临改革自己的痛苦。